Способ изготовления элемента памяти

Реферат

 

Способ изготовления элемента памяти, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости первого слоя двуокиси кремния с отверстиями, формирование первой и второй диффузионных областей второго типа проводимости, формирование второго слоя двуокиси кремния с отверстием, расположенного на поверхности полупроводниковой подложки, формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диэлектрика термообработкой поверхности полупроводниковой подложки в окисляющей среде и среде аммиака, нанесение слоя нитрида кремния на поверхность слоя диэлектрика, формирование отверстий во втором слое двуокиси кремния, формирование первой, второй и третьей проводящих областей, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения информации в элементе памяти, термообработку в окисляющей среде проводят после термообработки в среде аммиака, причем термообработку в среде аммиака проводят при температуре 1200 - 1400oC в течение 1 - 40 мин.