Сурвило Л.Н.

 Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа АIIBVI и их твердых растворов, содержащая основу и легирующие примеси в виде галогенидов металлов общей формулы MeX, где Me - Cu, Cd, Bi, Pb, X - Cl, Br, J, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности активирующих свойств шихты, в качестве основы используют двуокись титана при следующем соотношении...

 Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа AII BVI AIV BVI и их твердых растворов в шихте, включающий приготовление активирующей шихты, погружение подложек с нанесенными пленками в объем шихты, термообработку пленок в шихте, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения однородности фотоэлектрических свойств по поверхности п...