Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа аiibvi и их твердых растворов
Патент 976733
Авторы
Классы МПК
Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа аiibvi и их твердых растворов
Реферат
Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа АIIBVI и их твердых растворов, содержащая основу и легирующие примеси в виде галогенидов металлов общей формулы MeX, где Me - Cu, Cd, Bi, Pb, X - Cl, Br, J, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности активирующих свойств шихты, в качестве основы используют двуокись титана при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Me0,70 + 4,85 Х0,60 + 2,15 Двуокись титанаОстальное