КРАСНИЦКИЙ В.Я.

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНЖЕКЦИОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий эпитаксиальное наращивание кремниевого монокристаллического слоя П-типа проводимости на подложку п типа проводимости, формирование, с помощью маскирования и внедрения примесей областей р -активной и р -пасвСЕСОГОЗ 13 3 сивной 6a3j одновременное формирование h -областей коллектора п-р-п транзистора и п -резисторов,созд...

  НАКОПИТЕЛЬ ДПЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, включающий. подложку, на поверхности которой расположены эапоминаюпще ячейки, содержащие .базовые и эмиттерные г СЕСОШ; ГДЗ 13 п, 13, Т . S«SjJli;.-f слои первого и второго типов npoBO-i димости соответственно; на поверхности базовых слоев первого типа проводимости размещен диэлектрический слой, а на поверхностях эмиттерных сло...