НИКОНЕЦ ИРИНА ВАСИЛЬЕВНА

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 080681 (21) 3297311/18-24 с присоединением заявки Но(54)M Кп з G 11 С 11/14 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (23) ПриоритетОпубликовано 23()183. бюллетень Nо 3 (53) УДК 681. 327. Ь6 Г088 ° 8) Дата опубликован...

  СПОСОБ ПРОДВИЖЕНИЯ РЕШЕТКИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, основанный на воздействии на домено:s § и НиЖН. имп. содержащую пленку однородным импульсным магнитным полем и постоянным магнитным полем смещения, отличающийся тем, что, с целью упрощения продвижения решетки цилиндрических магнитных доменов, воздействие однородным импульсным магнитным полем осуществляют импульсами длит...

  Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для контроля качества и однородности доменосодержащих монокристаллических эпитаксиальных пленок. Целью изобретения является упрощение способа и повышение его быстродействия. Способ выявления дефектов заключается в следующем . На локальный участок размагниченной пленки воздействуют импульсом магни...

  Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может найти применение в автоматизированных системах контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых цленок (ЭФГП). Целью изобретения является упрогцение способа выявление дефектов при автоматизированном контроле ЭФГП. Способ заключается в том, что на участок пленки, имеющий в начальном состоянии лабиринтную доменную структу...

  Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для неразрушающего контроля доменосодержащих эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок при изготовлении доменных запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение чувствительности способа обнаружения дефектов. Способ включает воздействие на эпитаксиальную пленку импульсным неоднородным ма...

  Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на вертикальных блоховских линиях /ВБЛ/. Целью изобретения является упрощение способа. Продвигают ВБЛ вдоль доменной границы цилиндрического магнитного домена, содержащего две отрицательные ВБЛ и находящегося вблизи поля эллиптической неустойчивости, воздействуя на домено...

  Изобретение может быть использовано для исследовании характеристик магнитных пленок. Целью изобретения является ускорение процесса определения магнитного поля свертывания полосового домена в цилиндрический. Магнитное поле свертывания определяют при перемагничивании пленки полем различной полярности в момент достижения скоростью изменения восприимчивости максимального значения при...