Способ контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок

Способ контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может найти применение в автоматизированных системах контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых цленок (ЭФГП). Целью изобретения является упрогцение способа выявление дефектов при автоматизированном контроле ЭФГП. Способ заключается в том, что на участок пленки, имеющий в начальном состоянии лабиринтную доменную структуру, воздействуют кратковременным импульсным магнитньи полем смещения и перемагничивают его до насыщения, а затем после окончания импульса поля скеще - ния измеряют длительность процесса перемагничивания пленки обратно и лабиринтную структуру. Если эта длительность MenbDie порогового значения, то фиксируют наличие дефектов на данном участке пленки. Затем эти действия повторяют для слиг.утачг.го исследуемого гчастка Эи ГП. Подсчитывая число дефектных участков, можно быстро и просто определить среднюю плотность дефектов ЭФГП. 2 ил. S сл со NP 00 со

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1348906 (51) 4 0 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,;

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

Н A BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4041054/24-24 (2?) 24.03.86 (46) 30.10,87. Бюл. )! 40 (71) Донецкий физико-технический институт АН УССР (72) Ф,Г,Барьяхтар, В.Л,Дорман, А,В„Ковалев, Г.Н,Манянин и И.В,Никонец (53) 681.327.6(088.8) (56) Лисовский Ф.В. Физика цилиндрических магнитных доменоь ° M.: Сов. радио„ 1979, с. 148-151, Физика твердого тела, 1981, т,23, вып. 6, с ° 1735-1739 ° (54 1 СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

ФЕРРИТ-ГРАНАТОВЫХ ПЛЕНОК (57) Изобретение относится к автом.".— тике и вычислительной технике и может найти применение в автоматизирсванных системах контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок (ЭФГП).

Целью изобретения является упрог!ение способа выявлени дефе"тов при автоматизированном контроле ЭФП1. Способ заключается в том, что на участок пленки, имеющий в начальном состоянии лабиринтную доменную структуру, воздействуют кратковременным импульсным магнитным полем смещения и перемагничивают его до насьш!ения, а затем после окончания импульса поля смещения измеряют длительность процесса перемагничивания пленки обратно в лабиринтную структуру. Если эта длительность меньие порогового значения, то фиксируют наличие дефектов на данном участке пленки, Затем эти действия повторяют для снеJ,? :jt:ão исследуем oro участка ЭМ il, Подсчитывая чисго дефектных учас1ков, можно быстро и просто определить среднюю плоность дефектов ЭФГП. 2 ил.

1348

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может найти применение в автоматизированных системах контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок (ЭФГП).

Целью изобретения является упрощение способа выявления дефектон при автоматизированном контроле ЭФГП.

На фиг,l показаны области перемаг- )0 ничинания пленки; на фиг.2 — выходной сигнал фотоэлектронного умножителя.

Предлагаемый способ основан на следующем. 15

На участок пленки, находящейся в состоянии с обычной лабиринтной доменной структурой, воздействуют прямоугольным импульсом магнитного поля смещения с амплитудой, преньппающей ве-20 личину поля насыщения для данной пленки, и длительностью „„„ =, 1-3 мкс.

Импульсное магнитное поле смещения создают плоской круглой катушкой небольшого размера, например с внутренним диаметром 1-3 мм.

Во время дейстния такого импульса исследуемый участок ЭФГП внутри катушки смещения переходит в однородно намагниченное состояние, После окон- 30 чания действия импульса начинается процесс размагничивания ЭФГП, который проходит в виде равномерного движения полосовых доменов от наружной границы импульсной катушки к ее центру, При наличии дефектов внутри катушки к описанному процессу движения полосовой доменной структуры добавляется процесс развития доменной структуры на дефектах. Если осуществить 40 регистрацию динамики процесса импульсного перемагничивания на локальном участке пленки внутри катушки и контролировать некий характерный параметр перемагничивания, можно (по изменению этого параметра) судить о наличии дефекта на данном локальном участке.

Процесс импульсного перемагничинания пленки можно регистрировать с по- 50 мощью фотоэлектронного умножителя (ФЭУ), При этом ФЭУ и импульсная катушка центрируются, а диаметр засвечиваемой (видимой) области выбирается в несколько раз меньшим диаметра катушки (фиг. 1).

Если на участке пленки внутри катушки нет дефектов, то видимая область остается однородно намагничен906 2 ной н течение времени .„„д 1 после окончания импульса поля смещения до тех пор, пока.лолосоные домены (,ПД) в процессе своего роста не достигнут вершинами ее границы. По мере заполнения видимой области полосоными доменами сигнал на выходе ФЭУ уменьшается и формируется его задний фронт (фиг.2, линия 1), Общая длительность отклика складывается из длительности перемагничивающего импульса, и времени релаксации ;, „, которая обусловлена аксиально-симметричным движением вершин ПД от краев катушки, т.е перемагниченной области, к середине.

При наличии дефекта внутри катушки релаксация доменной структуры после снятия импульсного поля обусловливается совместно протекающими процессами движения ПД и зародьппеобразования на дефекте. Скорости движения обеих структур — полосовой, распространяющейся от краев катушки и радиально-гребешковой, распространяющейся от дефекта, — одинаковы, Если дефект попадает в видимую область, то процесс заполнения видимой области начнется на дефекте сразу же после снятия импульсного поля смещения. Дпитепьность спада выходного сигнала ФЭУ занисит от месторасположения дефекта в видимой области и минимальна в случае, когда дефект находится в центре видимой области (фиг.2, линия 2), и максимальна, когда дефект расположен на границе видимой области (фиг ° 2, линия 3).

Следовательно, длительность спада выходного сигнала при попадании дефекта в видимую область лежит между атее 8 e%

l eee )мин H (еел (Если дефект попадает в области внутри катушки, но не попадает н видимую область, то время, в течение которого видимая область остается однородно намагниченной после снятия импульса поля смещения а (фиг.2), уменьшается, а спад выходного сигнала ФЭУ начинается с момента прорастания радиально-гребешковой доменной структуры до границы видимой области (фиг.?, линия 4). В этом случае дли— тельность выходного сигнала всегда

Зе е неь. Дер

t еел

>(peh ) мокс

1348906

Способ автоматического контроля дефектов в ЭФГП осуществляют следующим образом.

Сфокусированным потоком поляризованного света освещают область внутри катушки, генерирующей импульсы поля смещения. Изображение видимой области в середине области пленки, охватываемой катушкой, через микроскоп с поляризованным фильтром подают на фотоприемник ФЭУ. После подачи импульса поля смещения производят регистрацию длительности процесса размагничивания исследуемого участка пленки путем измерения длительности выходного сигнала ФЭУ, Если эта длительность

- деч меньше пороговой L pp еNNA + (ppp )„ „с то это свидетельствует о наличии дефектов пленки на данном участке. Затем для исследования берут следующий участок и опять замеряют длительность выходного сигнала ФЭУ. Подложку с ис— следуемой пленкой закрепляют на сканирующем столике. Это позволяет осуществлять сканирование образца по всей его поверхности в двух взаимно перпендикулярных направлениях, Способ позволяет быстро и просто определить среднюю плотность дефектов

ЭФГП путем подсчета числа дефектных участков, разделив это число на произведение общего числа исследованных участков и площади видимой области.

Формула изобретения.

Способ контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок, заключающийся в последовательном воздействии на пленку перемагничивающими одиночными импульсами неоднородного магнитного поля смещения, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью упрощения процесса выявления дефектов, на участок пленки с лабиринтной доменной структурой в начальном состоянии воздействуют кратковременным импульсным магнитным полем смещения с амплитудой, достаточной для однородного намагничивания до насыщения данного участка, измеряют длительность процесса перемагничнвания пленки обратно в лабиринтную структуру после окончания воздействия импульсного магнитного поля смещения, определяют наличие дефектов на данном участке пленки, если длительность перемагничивания пленки в лабиринтную структуру оказывается меньше порогового значения, переходят на другой участок пленки и повторяют указанные действия, 1348906

Составитель Г,Аникеев

Техред М.Ходанич Корректор М.демчик

Редактор Т.Лазоренко

Заказ 5)96/52

Тираж 587 Подписное

ВНИИПИ Государственного, комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рауп ская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, уд. Проектная, 4