Дубровская Е.К.

 Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.

 Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий ориентированную резку слитка, шлифовку и полировку подложек и облучение подложки импульсным лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя, облучению подвергают поверхность (100), (100), (111) или (211).