Способ получения инверсного слоя в антимониде индия
Патент 1005602
Авторы
Классы МПК
Способ получения инверсного слоя в антимониде индия
Реферат
Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.