Тихонова О.В.

 Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.

 1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью...

 Изобретение относится к микробиологической промышленности, в частности производству антибиотиков. Цель изобретения - получение нового штамма, обладающего повышенной пенициллинообразующей способностью. Штамм Penicillium chrysogenum получен путем селекции и депонирован под номером ВНИИИА N 316А. При выращивании штамма в обычных условиях через 168 ч ферментации активность культуральной жидко...

 Использование: микробиологическая промышленность, производство антибиотиков. Сущность изобретения: штамм Penicillium chrysogenum получен путем селекции и депонирован в коллекции ВНИИА N 339А. При ферментации штамма в обычных условиях через 168 ч активность культуральной жидкости составляет 33000 ед/мл по бензилпенициллину и 36000 ед/мл по феноксиметилпенициллину. 3 табл. Изобретение относ...