Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов
Патент 1170926
Авторы
Классы МПК
Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов
Реферат
1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше т.пл., где т.пл. - температура плавления полупроводника, К.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при отжиге антимонида индия облучение ведут с плотностью энергии в импульсе 0,9 - 3,5 Дж/см2 и частотой повторения импульсов 50 - 100 Гц.