PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Генералов Н.А.

Изобретатель Генералов Н.А. является автором следующих патентов:

Способ компенсации реакции антенн

Способ компенсации реакции антенн

  Класс 21а4, 4 ¹ 459то XBT0PI H0E ЩИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИСЯНИЕ способа компенсации реакции антенн. К авторскому свидетельству Н. A. Генералова,. заявленному. 22 сентября 1935 года (спр. о перв. № 176935). О выдаче авторского свидетельства опубликовано 29 февраля 1936 года. (258) Известно, что при работе радиопередающих антенн по системе раздельного излучения, находящихс...

45970

Фазовращатель

Фазовращатель

  Класс 21 а, 15 X 47337 r-,: 5 - и ото:. л ! г- -.-:.-. ::. АВТОРСНОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИСАНИЕ ф а з о в р а щ а т е л я. K авторскому свидетельству я. A. Генералова, заявленному 10 сентября 1935 года (спр. о перв. № 176182). 0 выдаче авторского свидетельства опубликовано ЗО июня 1936 года. Существующие способы разделения боковых частот после модуляции в радиовеща...

47337

Способ получения п-слоев в антимониде индия

Способ получения п-слоев в антимониде индия

 Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси ис...

1149822

Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов

Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов

 1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью...

1170926

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов

 Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в плас...

1393232


Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин

 Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и конц...

1436767

Способ получения включений гексаборида кремния

Способ получения включений гексаборида кремния

 Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре...

1442004

Способ обработки поверхности кремния

Способ обработки поверхности кремния

 Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.

1507126

Способ легирования пластин кремния

Способ легирования пластин кремния

 Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения...

1507129

Способ обработки полупроводниковых материалов

Способ обработки полупроводниковых материалов

 Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

1523000


Способ получения инверсных полупроводниковых слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев

 Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры пл...

1523001

Способ легирования кремниевых пластин

Способ легирования кремниевых пластин

 Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осущ...

1531756

Способ легирования кремниевых пластин

Способ легирования кремниевых пластин

 Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагр...

1531757