Способ получения включений гексаборида кремния
Патент 1442004
Авторы
- Верин В.М.
- Гаськов А.М.
- Генералов Н.А.
- Гласко В.Б.
- Губарь А.Ю.
- Зимаков В.П.
- Коршунов А.Б.
- Петровнин Н.М.
- Сарайкин В.В.
- Соловьев Н.Г.
- Старикова Л.Е.
- Тимашева Т.П.
- Щербина С.М.
Классы МПК
Способ получения включений гексаборида кремния
Реферат
Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.