Зимаков В.П.

 Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси ис...

 1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью...

 Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в плас...

 Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и конц...

 Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре...

 Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.

 Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения...

 Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

 Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры пл...

 Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осущ...

 Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагр...

 Изобретение относится к способам декорирования древесины. Сущность изобретения: прорезание контура рисунка осуществляют лазерным лучом на глубину 1,0 - 2,5 мм, с шириной реза 0,1 - 0,5 мм. 2 ил. Изобретение относится к технологии художественной обработки древесины, в частности, к технологии декорирования, и представляет собой имитацию интарсии. Известен способ декорирования древесины, вкл...