Способ легирования кремниевых пластин
Патент 1531756
Авторы
- Авдеев В.Б.
- Верин В.М.
- Гаськов А.М.
- Генералов Н.А.
- Гласко В.Б.
- Губарь А.Ю.
- Зимаков В.П.
- Зыканова И.В.
- Коршунов А.Б.
- Петровнин Н.М.
- Сарайкин В.В.
- Соколов В.И.
- Соловьев Н.Г.
- Старикова Л.Е.
- Тимашева Т.П.
- Шестериков С.А.
- Щербина С.М.
Классы МПК
Способ легирования кремниевых пластин
Реферат
Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя T.пл.II T < T.пл.si, где T.пл.II - температура разложения тетраборида, T.пл.si - температура плавления кремния.