Способ получения инверсных полупроводниковых слоев
Патент 1523001
Авторы
- Верин В.М.
- Газуко И.В.
- Генералов Н.А.
- Гласко В.Б.
- Губарь А.Ю.
- Зимаков В.П.
- Зыканова И.В.
- Коршунов А.Б.
- Петровнин Н.М.
- Соловьев Н.Г.
- Старикова Л.Е.
- Щербина С.М.
Классы МПК
Способ получения инверсных полупроводниковых слоев
Реферат
Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.