Газуко И.В.

 1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с п...

 Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

 Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры пл...

 Устройство представляет собой твердое тело, рабочая часть которого выполнена из твердого сплава с ферромагнитной связкой. Ферромагнитная связка введена в приповерхностный слой рабочей части тела, причем концентрация металлического кобальта составляет не менее 0,3 мас.%, а толщина слоя - не менее 2,0 мкм. Технический результат: увеличение срока службы рабочей части тела в 6 раз. 4 ил., 2 т...