Способ обработки полупроводниковых материалов
Патент 1523000
Авторы
- Верин В.М.
- Газуко И.В.
- Генералов Н.А.
- Гласко В.Б.
- Губарь А.Ю.
- Зимаков В.П.
- Зыканова И.В.
- Коршунов А.Б.
- Петровнин Н.М.
- Соловьев Н.Г.
- Старикова Л.Е.
- Щербина С.М.
Классы МПК
Способ обработки полупроводниковых материалов
Реферат
Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.