Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин
Патент 1436767
Авторы
- Аверьянова Т.М.
- Верин В.М.
- Генералов Н.А.
- Зимаков В.П.
- Зыканова И.В.
- Коршунов А.Б.
- Прохоров В.И.
- Сазонов В.М.
- Соловьев Н.Г.
- Старикова Л.Е.
Классы МПК
Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин
Реферат
Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до Tпл, где Tпл - температура плавления полупроводниковой пластины.