Сазонов В.М.

  Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем с изоляцией заглубленным окислом. Цель изобретения повышение качества структур при одновременном упрощении способа. В качестве подложки используют пластины кремния КФБ 10, прошедшие операции формирования n+ скрытых слоев. На пластине формируют p+ скрытый слой имплантацией бо...

 Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и конц...