Прохоров В.И.

  I № g4gg9 Класс 63 d, 11 АВТОРСНОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТ(НИЕ ОПИСЯНИЕ колпачка для концов экипажных осей. К авторскому свидетельству В; И. Прохорова н И, П. Прохорова, заявленному 10 июня 1931.года (спр. о перв. № 89760). О выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 января 1934 года. Изобретение относится к колпачкам, допускающим регулирование осевой игры колесных ступ...

  Класс 21, 11о СССР 11 . .л-;,; с, ТЕ7Г"" (° " - . л ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ П. Я. Яхно и В. И. Прохоров СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЪ|Х ВЪ|ПРЯМИТЕЛЬНЪ|Х ТАБЛЕТ Заявлено 21 марта 1956 г. ва )!3 Д-9077/453699 в Министерство радиотс);ш!исско1! промышленности СССР Предмет пзобр«тения Предметоз! изобретения является способ изготовления селеновых выпрямительн...

  № 106170 Класс 21g, 11ве СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. И, Прохоров, П. Я. Яхно, В. Ф. Тутылев, В, И. Спасский, И. Х. Геллер и H. Г. Зайцев СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЛАГОСТОЙКИХ СЕЛЕНОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ БЕСКОНТАКТНОЙ КО НСТРУКЦИ И Заявлено 3 мая )956 Г. за ¹ 550971 в Комитет ио делам изоп>рет(!)ий и открытий при Co»((е,1(ииистров СССР Предмет изо...

  Класс 21с, 70 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. И. Прохоров ЗАКРЫТЫЙ РАЗБОРНЫЙ НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ Заявлено 30 декабря 1956 г. за . & 56362 в Комитет но делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР Низковольтные плавкие предохранители выполняют обычно в виде закрытого разборного трубчатого :.aoпуса из керамики с торцовы;ш крышками, удер...

  № 1168(;" Класс 2}.ñ, 4О=о .С " ИЛ 11 А Я ! с (11 Н ь "Ф "А В. И. П рохоров РЫЧАЖНЫЙ ПРИВОД К РУБИЛЬНИКУ Заявлено 9 сентября 1957 г. за М 583072 в Комитет по делам вобретеннй и открытннс при Совете Министров СССР В настоящее время в рубильниках, предназначенных для отключсния токов до 1000 а, применяют рычажные приводы, состоящие из штампованного сварного корпуса, рычажн...

  Класс 21с, 28,)Цо ) З 12О 1 СГ.О E,Я 1;„,>,:,;,ОГ1ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 91 В. Н. Прохоров РУБЯЩИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНТАКТ Заявлено 27 апреля 1969 г. за Ко 626412/24 в Ко!!птет по де.чаи изобретений и открытий при Говете Иинистров ГС(..Р Опубликовано в «Б!оллетене изобретений!! !Ха 2 за 1961 т. Предмет изобретения Рубящий электрически...

  Класс 21g, 11о с:сг. v ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ H АВТОРСКОМУ СВИ4ЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 97 В. И. Прохоров, Ф. И. Мартынов, К. В. Румянцев, А, Н. Полетаев, В. И. Романов, А. И. Чернышов и М. Г. Евтюшкин УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ СЕЛЕНА НА ЛИСТОВЫЕ ЗАГОТОВКИ В ПРОИЗВОДСТВЕ СЕЛЕНОВЫХ ВЬ!ПРЯМИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Заявлено !О мая 1960 г. за йй 665930/24 в Комитет по а< la < и...

  Класс 2!а, 1„ № 14О097 CCCI I OllVICAHVIE ИЗОБРЕТЕНИЯ— 1(АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Лв 87 А. С. Салосин и В. И. Прохоров РЕЧЕОБРАЗУЮЩИЙ АППАРАТ Заявлено 16 сентября 1960 г. за № 67939%31 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 15 за 196! r. Речеобразующие аппараты различных конструкций извес...

  № 143161 Класс. 21 g, l 1 в ссср ОПИСАНИЕ ИЗО К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подаггсная грг/гггга Л 97 П. Я. Яхно, И. Х. Геллер, 3. М. Левин, С, С. Корзюков, В. И. Прохоров и Н. Г. Зайцев СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Заявлено 28 апреля 1961 г. за ¹ 728913/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изо...

  Класс 21g, 11а, № 144912 ССС11 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная грушга C. 97 И. Х. Геллер, В. И. Мурыгин, И. С. Гринберг, В. И. Прохоров П. И. Книгин, А. С. Смирнов и П. Я. Яхно СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЪ|Х ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Заявлено 13 июля 196Ñ г за № 673864/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СC(:P Опубс вковано в «Бюллете...

  Класс 2)à, Qo ) $5jggg ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Ло 87 В. И. Прохоров ЭЛЕКТРОВИБРАЦИОННЫЙ ГОЛОСООБРАЗУЮЩИЙ АППАРАТ Заявлено 14 ноября 1960 г. за Ле 685437/31 в Комитет по делам изобрстсний и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений»,Ла 6 за 1962 г. Известны электровибрационные голосообразующие а...

 Теплообменник для летательных аппаратов, содержащий корпус, в котором расположены изогнутые под углом 90° трубные доски с теплообменными элементами, отличающийся тем, что, с целью обеспечения надежной работы при высоких давлениях теплообменивающихся сред и уменьшения габаритов, корпус выполнен в виде соединенных друг с другом четырех выпуклых крышек, а теплообменные элементы представ...

 Устройство для отжига чехлов облученных тепловыделяющих сборок ядерного реактора, содержащее кожух, заполненный теплоносителем, крышку с отверстиями, рабочую камеру, расположенную внутри кожуха, подводящий и отводящий патрубки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества чехлов, рабочая камера выполнена с вертикальными открытыми сверху каналами, сообщенными между собой сверху и сниз...

 Способ эксплуатации тепловыделяющей сборки ядерного реактора, включающий загрузку сборки в реактор, выдержку в реакторе в номинальном или пониженном тепловом режиме до номинального выгорания топлива и проверку герметичности, отличающийся тем, что, с целью повышения конструктивной прочности тепловыделяющей сборки путем восстановления механических характеристик конструкционного материала, з...

 (19)RU(11)1102183(13)C(51)  МПК 5    C01B21/26Статус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 20 год с 23.07.2001 по 22.07.2002(54) СПОСОБ КАТАЛИТИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ АММИАКА Изобретение относится к способам каталитического окисления аммиака и может быть использовано в агрегатах по производству неконцентрированной азотной кислоты. Известн...

 (19)SU(11)1277840(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технол...

 1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента и...

 Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в плас...

  Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем с изоляцией заглубленным окислом. Цель изобретения повышение качества структур при одновременном упрощении способа. В качестве подложки используют пластины кремния КФБ 10, прошедшие операции формирования n+ скрытых слоев. На пластине формируют p+ скрытый слой имплантацией бо...

 Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и конц...

  Изобретение относится к микроскопическим методам измерений и может быть использовано в полупроводниковой микроэлектронике для контроля тонкопленочных структур. Цель изобретения повышение точности и упрощение процесса измерений. Согласно изобретению в подложке под краем пленки вытравливают окно. Вырезают участок подложки со свободно висящим краем пленки, причем край участка скрайбируют па...

 Способ обработки кремния путем облучения его поверхности пучком ионов бора при средней плотности ионного тока 2 j < 3 мкА/см2, отличающийся тем, что, с целью формирования сплошного слоя тетраборида кремния, облучение ведут дозой 6,25 1016 - 1,00 1017 см-2.

 Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.