Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов

Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 143161

Класс. 21 g, l 1 в ссср

ОПИСАНИЕ ИЗО

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подаггсная грг/гггга Л 97

П. Я. Яхно, И. Х. Геллер, 3. М. Левин, С, С. Корзюков, В. И. Прохоров и Н. Г. Зайцев

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ

ЭЛЕМЕНТОВ

Заявлено 28 апреля 1961 г. за ¹ 728913/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 23 за 1961 r.

Предмет изобретения

Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов с закрытым запирающим слоем, содержащих алюминиевую кадмированСпособ изготовления селеновых выпрямительных элементов с закрытым запирающим слоем, когда селен наносят на кадмированну,о алгоминиевую основу, общеизвестен. В предлагаемом изобретении перед нанесением селена на алюминиевую кадмированную основу последнюю подогревают до температуры, превышающей температуру окружающего воздуха на 15 — 25, что дает возможность получить элементы с большей плотностью тока.

На чертеже показана вольтамперная характеристика селеновых выпрямительных элементов.

Выпускаемые нашей промышленностью селеновые элементы с закрытым запирающим слоем допускают плотность тока не более

25 маlсм .

Согласно принятой технологии, при нанесении селена на алюминиевую кадмированную основу температуру последней искусственно поддерживают близкой к комнатной. Авторы рекомендуют перед нанесением селена на алюминиевую кадмированную основу, последнюю подогревать до температуры, превышающей температуру окружающего воздуха на 15 — 25 . Остальные технологические операции и режимы остаются без изменения.

Крутизна вольтамперной характеристики селеновых выпрямительных элементов, изготовленных по предлагаемому способу, значительно увеличивается, допустимая плотность тока с 25 ма/см2 (кривая Б) возрастает до 50 маlсм (кривая А), без уменьшения к. п. д. выпрямительных элементов. № 143161

Составигелв Н. М. Халецкий

Редактор 3. А. Москвина Техред А. А. Куд1)явицкая Корректор И. А. Шпынева

Объем 0,18 изд. л.

11ена 4 коп.

Формат бум. 70Х108 /i

Тираж 1250

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2!6.

Подп. к печ. 9.1-62 г

Зак. 12624

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14. ную основу, на которую наносится селен, отличающийся тем, что, с целью получения элементов с повышенной плотностью тока, основу перед нанесением на gee . селена подогревают до температуры, превышающей температуру окружающего воздуха на 15 — 25 .