Способ легирования кремния бором
Патент 1391168
Авторы
- Козлов П.В.
- Коршунов А.Б.
- Павлов В.А.
- Петровнин Н.М.
- Прохоров В.И.
- Старикова Л.Е.
- Тимашева Т.П.
- Щербина С.М.
Классы МПК
Способ легирования кремния бором
Реферат
1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2 при средней плотности ионного тока пучка 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, а отжиг ведут до получения монокристаллического кремния в областях, ограниченных линиями скольжения.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность энергии в импульсе лазерного излучения при отжиге равна 1,6 - 22,5 Дж/см2 для длин волн 0,53 - 1,06 мкм.