Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем
Патент 1277840
Авторы
Классы МПК
Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем
Реферат
(19)SU(11)1277840(13)A1(51) МПК 6 H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:
(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии изготовления кремниевых приборов, и может быть использовано при обработке технологического процесса, а также при контроле качества эпитаксиальных структур. Целью изобретения является упрощение способа, повышение точности и увеличение используемой площади кристалла. П р и м е р 1. Берут безрельефные эпитаксиальные структуры, представляющие собой эпитаксиальный слой толщиной 1,8 мкм с удельным сопротивлением 1,5 Омсм n-типа проводимости, выращенные на подложке ЭКДБ-10, в которой перед эпитаксией были сформированы скрытые слои n-типа с помощью имплантации ионов сурьмы (Д=600 мкКл/см2, Е=75 кэВ, отжиг в О2, 1200оС, 4 ч) и p-типа с помощью имплантации ионов бора (Д=10 мкКл/см2, 100 кэВ, отжиг в О2, 1100оС, 90 мин). Перед разгонкой скрытых слоев окисел с подложки удаляют. Процесс анодирования проводят в концентрированной плавиковой кислоте при комнатной температуре при плотности анодного тока 10-40 Ма/см2, до получения окрашенной пленки пористого кремния. Обычно процесс выращивания пористого кремния проводят в течение 30-120 с. Окраска (т.е. толщина) пористого кремния, выращенного над скрытыми слоями, отличается от окраски пористого кремния соседних областей, что позволяет определять положение скрытого слоя. П р и м е р 2. Анодированию подвергают эпитаксиальные структуры, подготовленные аналогично примеру 1. Процесс выращивания анодного окисла осуществляют в растворе 20% серной кислоты при комнатной температуре при постоянном напряжении 35-50 В, до появления окрашенной пленки окисла на поверхности эпитаксиальной структуры. Среднее время анодирования составляет 5-10 мин. Толщина анодного окисла, выращенного над скрытыми слоями, существенно отличается от толщины окисла соседних с ними областей, что создает различную окраску, по разности которой легко определить положение скрытого слоя.
Формула изобретения
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.