Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов
Патент 1393232
Авторы
- Аверьянова Т.М.
- Астахов В.П.
- Белотелов С.В.
- Верин В.М.
- Генералов Н.А.
- Зимаков В.П.
- Зыканова И.В.
- Камушкин Г.В.
- Коршунов А.Б.
- Петровнин Н.М.
- Прохоров В.И.
- Соловьев Н.Г.
- Старикова Л.Е.
- Шестериков С.А.
- Щербина С.М.
Классы МПК
Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов
Реферат
Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной длительности при скважности импульсов от 1,05 до 33.