Белотелов С.В.

 Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в плас...

 Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия, включающий легирование исходного материала компенсирующей примесью до получения материала p-типа, изготовление из легированного материала подложек, имплантацию в них ионов и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДП-структур с инверсионным каналом и p-n-переходов за счет снижения...