Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия

Реферат

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия, включающий легирование исходного материала компенсирующей примесью до получения материала p-типа, изготовление из легированного материала подложек, имплантацию в них ионов и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДП-структур с инверсионным каналом и p-n-переходов за счет снижения токов утечки и повышения подвижности свободных носителей заряда, в качестве компенсирующей примеси используют германий, легирование осуществляют до концентраций дырок от 10¹² до 10¹⁶ см^-3, после изготовления подложек на них дополнительно наносят слои диэлектрика, в качестве имплантируемых ионов используют ионы галогенов, преимущественно фтора или хлора, причем имплантацию ведут через слой диэлектрика дозами 3,1 10¹³ - 6,25 10¹⁴ см^-2, а отжиг осуществляют в изотермическом режиме при температуре 300 - 360^oC.