Способ легирования пластин кремния
Патент 1507129
Авторы
- Авдеев В.Б.
- Верин В.М.
- Гаськов А.М.
- Генералов Н.А.
- Зимаков В.П.
- Зыканова И.В.
- Коршунов А.Б.
- Лисина Н.Г.
- Петровнин Н.М.
- Сарайкин В.В.
- Соколов В.И.
- Соловьев Н.Г.
- Старикова Л.Е.
- Тимашева Т.П.
- Щербина С.М.
Классы МПК
Способ легирования пластин кремния
Реферат
Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.