Тихонов В.Г.

 1. Способ определения степени аморфизации кристаллических материалов, например полупроводниковых, происходящей при облучении их ускоренными ионами, по разности оптических величин, измеренных для облученного и необлученного образцов материала, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, образцы перед облучением легируют акцепторной примесью с концентрацией носителей заря...

 Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра (min) соответствующую ему длину волны кр, отвеч...

 Способ обработки антимонида индия облучением ионами, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулируемого по глубине увеличения скорости электрохимического травления без изменения типа проводимости и уменьшения подвижности носителей заряда, антимонид индия во время облучения подвергают нагреву от 100 до 290oC.

 1. Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия, включающий легирование исходного материала, изготовление подложек, облучение ионами и создание инверсионного слоя последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью упрочнения имплантированного слоя, облучение проводят при температурах подложек от 0,6 Tпл до 0,95 Tпл дозами от 6 1014 до 6 1017 см-2 и греющими плотност...

 1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществ...

 Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия, n-типа, включающий освещение монохроматическим поляризованным светом образцов исследуемого и взятого в качестве эталона невырожденного полупроводника, многократное измерение эллипсометрического параметра и соответствующих ему длин волн, определение энергетического сдвига края полосы собствен...

 Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.

 Использование: в области исследования скважин, для выявления миграционных каналов флюидопроявлений малых дебитов внутри скважины. Сущность изобретения: в пружинах жестких центраторов эксплуатационной колонны размещают контейнеры, содержащие капсулы с радиоизотопами. Опускают колонну в скважину. Радиоизотопы поступают в межколонное пространство после разрушения капсулы, обусловленного нагр...

 Сущность: прессовая установка для фасонирования заготовок лопаток содержит вертикальный гидравлический пресс, снабженный нижним пуансоном и несколькими верхними пуансонами для последовательной многооперационной формовки в разъемной матрице заготовок с двумя утолщенными концевыми участками. Привод нижнего пуансона и закрытия и раскрытия матрицы осуществляется от дополнительного гидравличес...

 Использование: в записи путем намагничивания носителя информации, записи звука на бытовых кассетных магнитофонах. Сущность изобретения: усилитель содержит генератор стирания, преобразователь синусоидального напряжения в напряжение треугольной равносторонней формы, два компаратора и линейный усилитель. Преобразователь напряжения содержит усилитель-ограничитель и интегратор. Усилитель запис...

 Использование: в нефтяной и газовой промышленности, в частности к технологии крепления скважин обсадными колоннами. Обеспечивает повышение качества цементирования. Сущность изобретения: способ включает переработку, промывку, очистку стенок скважины скребковыми устройствами. После проработки ствола скважины проводят обработку глинистого бурового раствора. Снижают статическое напряжение сдв...

 Изобретение относится к нефтяной и газовой промышленности и может быть использовано при ликвидации скважин на месторождениях, в углеводородном сырье которых содержится высокий процент агрессивных компонентов. Обеспечивает повышение надежности изоляции продуктивного пласта. Сущность изобретения: способ включает установку цементных мостов. Один из цементных мостов устанавливают в покрышке п...

 Изобретение относится к нефтяной и газовой промышленности и может быть использовано при бурении нефтяных и газовых скважин на суше и морских скважин с надводным устьем. Для подвески обсадной колонны срезают направление и кондуктор на расчетных высотах. На торце направления и кондуктора устанавливают опорную плиту. Затем в скважину на бурильных трубах спускают и закрепляют первую секцию об...

 Изобретение относится к нефтяной и газовой промышленности и может быть использовано при строительстве скважин, в разрезе которых находятся галитсодержащие породы в условиях высоких температур и давлений. Способ крепления обсадных колонн в скважине включает спуск обсадной колонны, закачку буферной жидкости в виде рассола и цементирование обсадной колонны тампонажным раствором, при этом сна...