Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале
Патент 631015
Авторы
Классы МПК
Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале
Реферат
Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра (min) соответствующую ему длину волны кр, отвечающую энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения анализируемого материала, и концентрацию электронов определяют по формуле n = CT3/2f(кр, o ,T), где С - константа для анализируемого полупроводника; Т - температура образца К; f - функция от измеренной длины световой волны кр и длины световой волны c, отвечающей энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения невырожденного полупроводникового материала.