Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах

Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах

Реферат

 

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 10⁴ см²/В с и слоевой концентрации электронов до 10¹⁴ см^-2, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от 20 до 280 кВт/см² при длительности импульса от 6 10^-3 до 0,8 10^-3 с соответственно.