СУХОРУКОВ Н.И.

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, Езключающий окисяение полупроводниковой подложки, фотогравировку зоны охранного кольца по периферии базы транзистора, диф фузию для со.чдания дополнительной области глубокозалегающего охранного кольца одинакового типа проводимости с базовой областью, удаление легированного окисла и создание нового «гша.ЙГ;,,/ 1SS1S 1 слоя маскирую1цего...

  СПОСОБ КОНТРОЛЯ МНОГОПОРОГОВЫХ МДП БИС, включающий подачу напряжения на стоки и затворы двух транзисторов тестовой ячейки, последующее изменение напряжения на затворах транзисторов и определение их токов стока, отличаю и; ийся тем, что, с целью повышения точности , на затворы обоих транзисторов подают одинаковое напряжение и одновременно изменяют его до момента равенства токов ст...

  1 о КАССЕТА ЛЛЯ ОБРАБОТКИ И ТРАНСПОРТИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК, содержащая размещенные меж,пу стойками полложкодержатели в виде установленных, параллельно на разных уровнях стерн(ней с поперечными пазами, два из которых выполнены полыми и снабжены размещенными внутри них подпружиненными штоками с поперечными пазами и механизмом их перемещения , отличающаяся тем, что, с це...

  Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании больших интегральных схем на ВДП-транзисторах. Цель изобретения - повышение быстродействия МДП больших интегральных схем и степени их интеграции. В способе изготовления МДП больших ральных схем создают подзатворный диэлектрик на кг емниевой подложке. Далее наносят поликремниевую разводку и уда...