ЛЮБИНСКИЙ В.Р.

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЩЕПОЧНОГАЛОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающий вертикальную направленную кристаллизацию путем перемещения ампулы с конусообразным дном через охлаждаемую диафрагму при выращивании цилиндрической чжти«фисталла из расплава, перетретого на 100-200 С выше температуры кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью тжышения качества К1жсталлов за счет стабилизации положени...

  Изобретение-относится к технологии получения сцинтилляторов и может быть использовано при изготовлении детекторов рентгеновского и гамма-излучения в медицинской и промышленной томографии. Целью изобретения является уменьшение послесвечения в миллисекундном диапазоне. Изобретение описывает способ пол.учения сцинтиллятора на основе йодида цезия, включающий сушку йодида цезия и сушк...

  Изобретение относится к квантовой электронике и позволяет повысить качество щелочно-галоидных монокристаллов. Способ выращивания активированных щелочно-галоидных монокристаллов из расплава включает разращивание монокристалла до заданного диаметра при поддержании постоянного уровня расплава за счет подпитки расплава шихтой, вытягивание цилиндрической части монокристалла при подпит...