Дубровская Л.А.

 Полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, отличающийся тем, что, с целью улучшения шумовых характеристик, под соединительной ме...

 Изобретение относится к электронной технике, в частности, к способу изоляции монолитных интегральных схем путем протонной бомбаридовки. Цель изобретения - повышение выхода годных изделий путем улучшения электрических параметров транзисторов. Это достигается тем, что в способе изготовления арсенид-галлиевой монолитной интегральной схемы, включающем создание изоляции активных областей прото...