Полевой транзистор

Полевой транзистор

Реферат

 

Полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, отличающийся тем, что, с целью улучшения шумовых характеристик, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого удовлетворяет следующему неравенству: где D - ширина соединительной металлизации в области канала; W_к - ширина канала; n - количество контактных площадок.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкции полевых транзисторов. Высокочастотные свойства полевых транзисторов, в частности шумовые характеристики, зависят от сопротивления металлизации затвора. Известны различные варианты расположения контактных площадок затвора, обеспечивающие уменьшение этого сопротивления. Контактные площадки располагаются на непроводящей части структуры. Известен полевой транзистор, у которого контактные площадки затвора присоединены к противоположным по ширине сторонам электрода затвора. Для таких транзисторов последовательное сопротивление металлизации где L длина затвора; d толщина металлизации затвора; удельное сопротивление металлизации затвора; W ширина затвора [1] Наиболее близким к изобретению является полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора при помощи соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое [2] Однако в таких транзисторах расположение части соединительной металлизации затвора на области канала создает для носителей тока условия невозможности достижения максимальной дрейфовой скорости в этой части канала и приводит к наличию паразитной емкости затвора, составляющей около 10% от общей емкости затвора, что отрицательно сказывается на высокочастотных свойствах. Цель изобретения улучшение шумовых характеристик транзистора. Это достигается тем, что в известном полевом транзисторе со встроенным каналом, содержащем электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, в котором контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого DW_к удовлетворяет следующему неравенству: где D ширина соединительной металлизации в области канала; W_k ширина канала; n количество контактных площадок. На чертеже изображен полевой транзистор. Он имеет электрод стока 1, электрод истока 2, электрод затвора 3, соединительную металлизацию 4, контактную площадку затвора 5, проводящий канал 6 и высокорезистивную область 7, выполненную с помощью ионного легирования протонами на глубину канала и так, что она находится под контактной площадкой затвора 5, соединительной металлизацией 4 и частью электрода затвора 6, непосредственно прилегающей к соединительной металлизации, т.е. устранена часть проводящего канала в области присоединения соединительной металлизации к затвору. Последовательное сопротивление металлизации затвора в устройстве согласно изобретению определяется выражением И при условии равенства его величине преимущества конструкции с присоединением контактных площадок вдоль затвора исчезают. Поэтому предложенное значение W_к определяется из неравенства Выполнение высокорезистивного слоя по крайней мере под соединительной металлизацией затвора в области канала устраняет проводимость части канала с большой длиной затвора и с наиболее неравномерным распределением электрического поля в областях разрыва электрода истока (стока), уменьшает дополнительную паразитную емкость затвора. С учетом наложенных на W_к ограничений при малом R_м создаются условия для достижения носителями тока максимальной дрейфовой скорости в большей части канала. Это приводит к улучшению шумовых свойств транзистора. Использование изобретения позволяет создавать полевые транзисторы с улучшенными шумовыми характеристиками.

Формула изобретения

Полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, отличающийся тем, что, с целью улучшения шумовых характеристик, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого удовлетворяет следующему неравенству: где D ширина соединительной металлизации в области канала; W_к ширина канала; n количество контактных площадок.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000