ШИГАПОВ РЕНАТ АСХАТОВИЧ

  СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ОТВЕРСТИЯ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛО ККЕ, основанный на испарении материала подложки путем воздействия на нее потоком заряженных частиц, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса/ испарение проводят с помощью факельного разряда, причем напряженность факельного разряда выбирают из соотношения Е к- Е„р, где Е - напряженность поля факельного...