PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Тарасевич А.И.

Изобретатель Тарасевич А.И. является автором следующих патентов:

Способ создания металлизации свч-транзисторов

Способ создания металлизации свч-транзисторов

 Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно...

1069571

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

 Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий формирование на одной подложке прозрачных токопроводящих электродов, а на другой прозрачных сплошных областей токопроводящих электродов, разделение подложек на сегментные и общие пластины, нанесение на каждую пластину ориентирующего слоя, соединение пластин, заполнение полости между ними жидким кристаллом, отличающийся тем,...

1294144

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины

 Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины кольцевым инструментом, включающий изготовление базового среза слитка, ориентирование плоскости реза по кристаллографической плоскости (001), наклейку слитка на оправку и закрепление их на суппорте станка и перемещение вращающегося инструмента относительно слитка по дуге окружности в плоскости реза, отли...

1600189