Котелянский И.М.
Изобретатель Котелянский И.М. является автором следующих патентов:
![Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн](/img/empty.gif)
Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн
Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод с размещенными на его рабочей грани канавками, в которых расположены основные электроды, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот в сторону высоких частот, в него введены дополнительные электроды, размещенные на участках рабочей грани звукопровода ме...
1535335![Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн](/img/empty.gif)
Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн
1. Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий подложку, на поверхности которой размещена пьезоэлектрическая пленка, и две группы основных электродов, включенных противофазно одна относительно другой, одна из которых расположена на пьезоэлектрической пленке, другая - под ней, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот в сторо...
1535336![Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн](/img/empty.gif)
Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн
1. Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий подложку, на поверхности которой размещена пьезоэлектрическая пленка, и две группы электродов, расположенных под пьезоэлектрической пленкой и на ней, одна из которых состоит из чередующих электрически противофазно включенных электродов, другая - из основных электрически изолированных электродов, с разме...
1535337![Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков](/img/empty.gif)
Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков
Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков, содержащий наполнитель, загуститель, комплексообразователь, травящий реагент и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, производительности процесса, уменьшения токсичности и коррозионного воздействия, в качестве травящего реагента использована ортофосфорная кислота, при с...
1797409![Полупроводниковый прибор Полупроводниковый прибор](/img/empty.gif)
Полупроводниковый прибор
Использование: в полупроводниковых приборах, у которых активная область сформирована из гетероэпитаксиальных пленок, выполненных из широкозонных нитридных соединений типа АIIIBV. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор включает монокристаллическую сапфировую подложку с ориентацией рабочей поверхности, содержащей направление на которой расположена гетероэпитаксиальная слоистая стру...
2186447