Волков Святослав Игоревич (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на комплементарных транзисторах со структурой метал-окисел-полупроводник (КМОП ИС), с использованием подложек кремний на изоляторе (КНИ). Технический результат изобретения заключается в уменьшении суммарной планарной площади областей исток-контакт; в уменьшении электросопротивления контакта к карману, за счет сокращения пути протек...

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении больших интегральных схем (БИС), в том числе БИС на основе комплементарных транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник (КМОП БИС), программируемых матричных БИС, программируемых логических интегральных схем (ПЛИС), однократно программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ). Техни...