ЕРОХИНА ЛАРИСА ИВАНОВНА
Изобретатель ЕРОХИНА ЛАРИСА ИВАНОВНА является автором следующих патентов:

Грунтовая эмаль
ГРУНТОВАЯ ЭМАЛЬ, включающая SiO , B.jO, , , KjO, , TiO, CoO, , отличающаяся тем, что, с целью снижения коэффициента термического расширения и повышения прочности сцепления со сталью, она дополнительно содержит и МоО. при следующем соотнсяиении компонентов , мас.%: SiO 43,9 - 55,7; BjOi 22-24; 14-17; 3,6 4 ,6; AljO 1-2.; Ti02 0,2-1,5; CoO 0,5 - 1,5; Ре20зО,3-1; 2-3; MoO, 0,7-1,5....
1096243
Фритта для эмалевого покрытия
Изобретение относится к изготовлению эмалевых покрытий С целью уменьшения энергетических затрат за счет снижения температуры обжига эмали и уменьшения количества наносимых слоев, необходимых для достижения сплошности покрытия, фритта для эмалевого покрытия содержит, мае %: SiOa 4-20; РЬО 4-13; В20з 23.0-41,5; 8-16; NaaO 3-10;СаО 5-14; Мп02 0,5-4,0, ВаО 4-11, «20 5-14. Температура...
1691332
Эмалевая фритта
4„ СО/ОЗ ССBE ГСКИХ СОЦ 1АЛ ИС1 ИНЕСКИХ РЕСПУБЛИК (l1 ) ." Ъ ПРИ ГКНТ СССР /cf л 1Р. !,3" ! ". I (j(, ОСУДЛРCTBEI-, Ь1Ь и КО/,1И Е ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЬ!ТИЯ .1 I 2 1/ 48 /452 / 3. (22} 16.08,90 (4Q/ 07.09,92. Ею>-:. . " 33 (71) Научно-исследовгтельски» и ко:QTQ,Q Б табл 1 и ив .ен -
1759796
Диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей
Использование: в качестве диэлектрического барьера в приборах и установках химического оборудования, радиоэлектронной промышленности. Сущность изобретения: диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей содержит, мас.%: оксид кремния 25,75-34,3 БФ SI02, оксид бора 3.5-4,7 БФ В20з. оксид лития 2,0-2,7 БФ LlaO, оксид натрия 5.5-7,3 БФ NaaO, оксид калия 2,5-3,3 БФ К20, оксид к...
1794903