Диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей

Диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: в качестве диэлектрического барьера в приборах и установках химического оборудования, радиоэлектронной промышленности. Сущность изобретения: диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей содержит, мас.%: оксид кремния 25,75-34,3 БФ SI02, оксид бора 3.5-4,7 БФ В20з. оксид лития 2,0-2,7 БФ LlaO, оксид натрия 5.5-7,3 БФ NaaO, оксид калия 2,5-3,3 БФ К20, оксид кальция 1,5-2,0 БФ СаО, оксид стронция 2,0-2.7 БФ SrO, оксид титана 1,5-2,0 БФ ТЮ2, оксид циркония 1,5-2,0 БФ Zr02. кремнефтористый натрий 2,0-2,7 БФ Na2SIFe, оксид цинка 1,0-1,3 БФ ZnO, оксид магния 0,5-0,7 БФ МдО, титанат стронция 33,3-50,0 БФ ЗгТЮз, оксид железа 0,75-1,0 БФ Ре20з. Характеристика покрытия: диэлектрическая проницаемость 16-18, диэлектрические потери (47-48), электрическая прочность 38 кВ/мм, ТКЛР (96-102) /град. 2 табл. Ј

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСГ1УБЛИК (я)5 С 03 С 8/08

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4896270/33 (22) 26,12.90 (46) 15.02.93. Бюл. М 6 (71) Научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт эмалированного химического оборудования (72) Е.А. Шаброва, В.И. Корниленко, Л.И. Ерохина, Г.И. Ломан, Л.П. Курочка и Л.Б. Гладилина (56) Авторское свидетельство СССР

М 370187, кл, С 03 С 8/06, 1973. (54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОКРЫТИЕ (57) Использование: в качестве диэлектрического барьера в приборах и установках химического оборудования, радиоэлектронной промышленности. Сущность изобретения: диэлектрическое покрытие для

Изобретение относится к эмалироваwe металлических изделий из малоуглеродистой стали, в частности к составам силикатных покрытий, используемых в качестве диэлектрического барьера в приборах и установках химического оборудования, радиоэлектронной промышленности.

Известен состав силикатной эмали, представленный следующим соотношением компонентов, мас.g: SION 45,3-48,9; Zr02

4,0-6,4; МагО 6,0-10,0; КгО 1,6-4,0; ЫгО 3.05,1; SrO 1,0-2,2; СаО 1,0 — 1,8; ВгОз 1,1-2,0;

Со0 1,0-2,0; МаМЬОз 16.4-28,3; ZrSI04 2,53,3; МоОз 0,2 — 0,4.

Недостатком этого состава являются невысокие значения диэлектрической проницаемости.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является состав, представля„„5U„„1794903 Al малоуглеродистых сталей содержит, мас. : оксид кремния 25,75-34,3 БФ S102, оксид бора 3.5-4,7 БФ ВгОз, оксид лития 2,0-2,7

БФ L120, оксид натрия 5,5 — 7,3 БФ МагО, оксид калия 2,5-3;3 БФ КгО, оксид кальция

1,5-2,0 БФ СаО, оксид стронция 2,0-2,7 БФ

SrO, оксид титана 1,5-2,0 БФ TIOz, оксид циркония 1,5-2,0 БФ ZrOz, кремнефтористый натрий 2,0-2,7 БФ NazSIFg, оксид цинка 1,0 — 1,3 БФ Zn0, оксид магния 0,5-0,7 БФ

MgO, титанат стронция 33,3 — 50,0 БФ

SrTiO3, оксид железа 0,75-1,0 БФ ГегОЗ.

Характеристика покрытия; диэлектрическая проницаемость 16 — 18, диэлектрические потери (47 — 48) 10, электрическая прочность

38 кB/ìì, ТКЛР (96 — 102) 10 71/град. 2 табл. ющий силикатную эмаль, используемую для антикорроэионной защиты стальной химической аппаратуры. Состав эмали характеризуется следующим соотношением компонентов, мас.%: SION 49 — 61; 2гОг 1.— 20;

МоОз 0,1-2; Т!Ог 0,1-5; ВгОз 1-4; СаО 1 — 5;

SrO 0,1 — 6: МагО 9 — 15; КгО 0,1-4; ПгО 1-6;

АЬОз 0,1-5 и кроме того, Маг31Р6 1-6; агОз

0,1-20; ZnO 0,1-2.

Кроме того, эмаль дополнительно содержит, мас. j: :СогО + СоО 0,1-1, Недостатком указанного покрытия являются низкие значения диэлектрической проницаемости и электрической прочности.

Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости и электрической прочности.

Указанная цель достигается тем, что покрытие, включающее SION, ВгОз, LlzO, КгО, 1794903

2,0-2,7

5,5-7,3

2,5-3,3

1,5 — 2,0

2,0-2,7

1,5-2,0

1,5-2,0

2,0-2,7

1,0-1,3

0,75 — 1,0

0,5-0,7

33,3-50.0

LIz0

МагО

К20

СаО

SrO

Zr02

Т!02

Ма2$!Ре

Zn0

Fez0a

Mg0

$гТ!Оз

МагО, СаО, SrO, 2лО, TI02. Zr02, NazSIFe, дополнительно содержит MgO, РегОз, $гТ!Оз при следующем соотношении компонентов, мас. $:

SI02 25,75-34,3

В20з 3,5 — 4,7 ! !20 2,0-2,7

К20 2,5-3,3

Naz0 5,5-7,3

СаО 1,5 — 2 0

Sr0 2,0-2,7

Zn0 1,0-1,3

Mg0 0,5-0,7

Zr02 1,5-2,0

TlOz 1.5-2,0

Маг$!Е6 2.0-2,7

Fez Oa 0,75-1,0

$гТ!Оз 33,3 — 50,0

Изобретение поясняется конкретными составами покрытия, приведенными в табл 1.

Для приготовления шихты диэлектрического покрытия используют кварцевый песок, буру, литий углекислый, соду, селитру натриевую и калиевую, мел, стронций углеФормула изобретения

Диэлектрическое покрытие для малоуглеродистых сталей, включающее $!Ог, ВгОз, Llz0, NazO, КгО. CaO. SrO, Zr02, Т!Ог, NazSIFe, Zn0, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и электрической прочности, оно дополнительно содержит ГегОз, Mg0, $гТ!Оз при следующем соотношении компонентов, мас.7»:

$!02 25,75,34,3

В20з 3,5-4,7 кислый, цирконовый концентрат, натрий кремнефтористый и метатитанат стронция.

Плавку эмалей проводят при температуре 1250 С в течение 110-120 мин с последу5 ющей грануляцией на воду.

Помол, приготовление шликера по общепринятой технологии эмалирования. Наносят шликер на предварительно загрунтованное изделие. Температура об"0 жига эмали составляет 850+10 С. Толщина покрытия на изделии составляет 1Ю,1 мм.

Определение диэлектрической проницаемости тангенса угла диэлектрических потерь проводят в соответствии с ГОСТ

15 64334-71, электрической прочности в соответствии с ГОСТ 6433.3-71.

Свойства конкретных составов приведены в табл,2, Использование предлагаемого покрытия в качестве диэлектрических барьеров электродов обеспечивает более высокую мощность озонаторной установки, что позволило повысить ее производительность в

25 1,5 раза, 1794903

Таблица 1

Таблица 2

Составитель Л. Курочка

Техред М,Моргентал Корректор Л. Лукач

Редактор

Заказ 404 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина. 101