ДМИТРИЕВ А.Н.
Изобретатель ДМИТРИЕВ А.Н. является автором следующих патентов:
Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов
СПОСПБ ИЯГОТПВЛЕНИЛ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРПВПЛНИКПВЫХ ПРИБОРОВ,включающий операции формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке С маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытие контактных областей к элементам структуры, формирование металлизированной разводки и канавок разделительной изоляции , нанесение защитного диэлектрического покрытия на рельефную поверхность...
1102433