Тюлькин В.М.

 (19)SU(11)1108962(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/04(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК - НИТРИД КРЕМНИЯ - ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ - ПОЛУПРОВОДНИК Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приб...

 (19)SU(11)1110315(13)C0(51)  МПК 5    G11C11/34Статус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ИМ Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании интегральных микросхем запоминающего устройства (ЗУ) с энергонезависимым хранением информации. Известно запоминающее у...

 (19)SU(11)1253350(13)C0(51)  МПК 5    G11C11/40Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в интегральных запоминающих устройствах (ЗУ), в частности при построении схем резервирования строк и столбцов в накопителе, обеспечивающих ремонтоспособность ИС...

 Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, может быть использовано в энергонезависимых ЗУ с произвольной выборкой информации и является усовершенствованием известного устройства по авт. св. N N 1115106. Целью изобретения является ускорение восстановления информации в ячейке памяти. Поставленная цель достигается тем, что в ячейку памяти введены...

 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в энергонезависимых запоминающих устройствах с произвольной выборкой. Целью изобретения является повышение надежности восстановления информации ячейки памяти. Для достижения этой цели в энергонезависимый элемент памяти введены два коммутирующих транзистора, а управление процессом восстановления информации производитс...

 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при проектировании интегральных схем электрически репрограммируемых постоянных запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение быстродействия накопителя. Поставленная цель достигается благодаря уменьшению паразитной емкости разрядной шины, время зарядки которой при считывании составляет 40 - 60% от общег...

 Изобретение относится к вычислительной технике. Цель изобретения - увеличение срока службы ячейки памяти. Поставленная цель достигается тем, что перед подачей напряжения на вход программирования ячейки памяти величину напряжения питания уменьшают до значения, меньшего номинального значения напряжения питания, но большего минимального напряжения хранения информации в ячейке памяти, а после...

 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых интегральных схемах электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройствах. Целью изобретения является расширение области применения составного МДП-транзистора. Поставленная цель достигается за счет того, что затвор каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен с истоком...

 Изобретение относится к способам измерения электрических параметров электрически репрограммируемых запоминающих устройств на основе структуры проводник - нитрид кремния - оксид кремния - полупроводник и может быть использовано для контроля напряжения программирования на этапах разработки и серийного производства. Целью изобретения является повышение производительности способа. Поставленна...

  Изобретение относится к способам электрических измерений, в частности, электрических параметров электрически репрограммируемых запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение надежности запоминающих устройств. Поставленная цель достигается за счет того, что после выполнения заданного количества циклов перепрограммирования проводят термообработку при температуре 60 - 200С про...