Щекочихин Ю.М.

 Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений, включающий испарение соединения в вакууме с последующим адиабатическим расширением пара, ионизацию пара, его ускорение электрическим полем, осаждение пленки на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных пленок неконгруэнтно-испаряющихся многокомпонентных полупроводниковых соединений с заданным из...

 1. Способ нанесения тонких пленок, включающий вакуумирование рабочего объема и формирование пучка атомов осаждаемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты пленок, пучок облучают монохроматическим световым потоком, резонансно-поглощаемым атомами осаждаемого материала или атомами примеси, причем, если длина волны светового потока соответствует резонансному поглощению а...