Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений

Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений

Реферат

Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений, включающий испарение соединения в вакууме с последующим адиабатическим расширением пара, ионизацию пара, его ускорение электрическим полем, осаждение пленки на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных пленок неконгруэнтно-испаряющихся многокомпонентных полупроводниковых соединений с заданным изменением стехиометрического состава по толщине пленки, пары испаряемых отдельно компонентов смешивают перед их адиабатическим расширением.