Мищенко А.М.

 Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений, включающий испарение соединения в вакууме с последующим адиабатическим расширением пара, ионизацию пара, его ускорение электрическим полем, осаждение пленки на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных пленок неконгруэнтно-испаряющихся многокомпонентных полупроводниковых соединений с заданным из...

 Изобретение относится к фотоэлектронике. Сущность: после полировки на поверхности подложек выращивают анодный окисел, на который при температуре 100oC наносят пассивирующий диэлектрический слой с малым коэффициентом диффузии ртути толщиной не более 1000 А, проводят отжиг при температуре 100-200oC в течение времени, понижающего концентрацию электрически активных центров, и удаляют анодный...

 Использование: в полупроводниковой технике. Сущность изобретения: ширина запрещенной зоны фоточувствительного материала в направлении от освещаемой поверхности Z начинает изменяться на расстоянии, соответствующем глубине поглощения 50 - 80% Z0 излучения от ширины запрещенной зоны, соответствующей коротковолновому диапазону Eg1 работы фотоприемника, до ширины запрещенной зоны, соответствую...

 Сущность изобретения: устройство содержит основание 1 с отверстиями 7, над которыми размещена диэлектрическая матрица 2 со сквозными отверстиями и контактные элементы, размещенные в отверстиях основания 1, выполненного съемным и закрепленного на матрице 2 посредством пружины 9, отверстия в основании выполнены несквозными в соответствии с топологией контрольных точек. 2 ил. Изобретение отн...

  Использование: изобретение может быть использовано при создании фотоприемников дальнего инфракрасного диапазона с большой обнаружительной способностью. Сущность изобретения: на пластину из CdxHg1-x наносят эпитаксиальный слой CdTe, затем на обе стороны пластины наносят капсулирующий диэлектрический слой, проводят отжиг и удаляют диэлектрический слой. 2 з.п. ф-лы, 1 табл. Изобретение отно...

 Использование: полупроводниковая техника, в частности технология изготовления фотоприборов. Сущность: в нагретый до температуры 70 170°С образец CdxHg1-xTe P-типа проводят имплантацию ионов с энергией 10 150 кэВ и дозой 1012- 1014 см-2. При маскировании образца капсулирующим диэлектрическим покрытием, имплантацию проводят ионами, энергию которых увеличивают на величину энергетических поте...

  Использование: в технологии изготовления фотоприборов. Сущность изобретения: по способу модификации поверхностного слоя теллурида кадмия ртути модификацию поверхности теллурида кадмия ртути проводят путем облучения локальных участков поверхности ионами с энергией 15 - 200 кэВ дозой 1013-1016 см-2 , а после облучения проводят удаление поверхностного слоя на глубину не менее проецированног...

  Испоьзование: в технологии изготовления фотоприборов. Сущность изобретения: способ заключается в обработке поверхности образца из CdxHg1-xTe p-типа в плазме высокочастотного разряда ускоренными ионами с энергией 1 - 10 эВ и плотностью тока 4-8 мкА/см2. Затем проводят послойное травление образца, чередуя его с контролем свободных носителей на поверхности. Травление проводят до слоя с конц...

 Изобретение относится к медицине, в частности к гастроэнтерологии, и может быть использовано для лечения неспецифического язвенного колита. Предложено вводить внутриартериально в регион пораженной ободочной кишечной стенки микрокристаллическую суспензию гидрокортизона. Одновременно вводят дезагреганты и гепарин. Способ обеспечивает локальное депонирование препарата и пролонгированный лече...