Бачурин В.В.

  Класс 7с, 34 % 103665 (((: ) сд >; < ф. ч„ т + ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А. М. Лушников и В. В. Бачурин МАШИНА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗ ЛИСТОВОГО МЕТАЛЛА ОИАНТОВОЧНОИ ЛЕНТЫ Зп>(В>« ио 24 д« п 1рл "i Г. 33 . Л>(51/(627() > н Ijf HTI>nI>f>h« nffc )(л>! Изготовления из ли .Тонетны» jcTРоЙс 115(L ДлЯ HPH до tl.lfffl! Ги(и;и мH(ltPOH)1 .1< HTt>(> ВДЛВЛИВЛ< Мой...

  Ме 1ОЗЗ1З Класс 39а, 1(),T СССV ОПИСАНИЕ ИЗО К АВТОРСКОМУ СВИДЕ И. И. Жуков и В. B. Бачурин ПОДСТАВКА ДЛЯ СБОРКИ РЕЗИНОВОЙ ОБУВИ HA КОЛОДКЕ, Ча(! > (> 5) > < I «» гр!>р(»,« »иобого >!Ho Tp;! Hcòâåíèîã0 рагположения держателя с колодкой. имсIoT сложную конструкци)о, 1!реллагйнсгрукции> щ);! 0Tpëü колодки выполи:.и и Виде !Орг(зоптйльного лиск», 11080ротHGiо в горизонтальной и в...

  асс 49с, 10 47h, 14 112817 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. В. Бачурин МЕХАНИЧЕСКИЕ НОЖНИЦЫ Зиивлено 3 деквори 1957 г. за М 587427 в Комитет по дел !м изоорегеиии:! о крь!гии нри Совете Министров СССР Известны механические ножницы . регулировкой числа ходов и вели-! ины реза, снабженные лобовой фрикционной передачей. Предлагаемые механические ножницы п...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение высокотемпературной термокомпрессионной попарной сварки полупроводниковых пластин. Для достижения поставленной цели устройство содержит печь с горизонтальной трубой и кварцевую кассету, средство для центровки и удержания пластин, узел регулировки усилия сжатия пластин. Средство для центровки и удержания пластин...

  Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и способам защиты p-n-переходов от влияния внешних зарядов. Цель изобретения - улучшение электрических характеристик приборов и повышение выхода годных за счет исключения взаимодействия электродов с пассивирующей пленкой поликремния, увеличения прочности со...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на основе кремния. Цель - повышение выхода годных и улучшение электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре. Для этого при изготовлении полупроводниковых приборов создают двух...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: устройство для низкотемпературного прямого соединения полупроводниковых пластин включает основание, центрифугу с каруселью для размещения узлов крепления пластин, крышку для создания замкнутого пространства над соединяемыми пластинами, узел нагрева пластин. Узел крепления пластин содержит держатель для размещения и ф...

 Использование: в электронной полупроводниковой технике, в методах создания мощных кремниевых ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой. Сущность изобретения: способ отличается наличием новой совокупности и последовательности технологических операций: наращивание дополнительного слоя нитрида кремния на поликремний в защитном покрытии, формирование слоя термической двуокиси кремния в защи...

 Использование: в электронной полупроводниковой технике, в частности при конструировании мощных кремниевых МДП-транзисторов, предназначенных для усиления и генерирования мощности в ВЧ и СВЧ-диапазоне длин волн. Сущность изобретения: в конструкции мощного СВЧ МДП-транзистора, содержащего полупроводниковую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями первого типа проводимости, элемента...