Смолин В.К.

 СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА НЕПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИЙ НА МЕТАЛЛАХ, заключающийся в том, что на диэлектрическую подложку методом напыления с последующей фотолитографией наносят систему протяженных пленочных металлических проводников, а на них - исследуемое покрытие, которое подвергают воздействию среды, создают разность потенциалов между проводниками и по изменению электрического сопротивления пр...

 Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при создании пленочных резисторов в гибридных микросборках. Целью изобретения является повышение допустимой мощности пленочного резистора. Пленочный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены контактные площадки 2 и прямоугольный резистивный элемент 3, включающий две области 4, удельное пове...

 Изобретение касается электроизмерений, в частности измерений контактного (переходного) сопротивления. Целью изобретения является упрощение процесса измерения. Сущность способа состоит в том, что контактные площадки 3, 4 и 4, 5 объекта измерения, представляющего собой резистивную полоску с участками 1 и 2, на которую нанесены контактные площадки 3 5, посредством зондов 6 8 соединены с исто...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве резисторов. Цель изобретения - повышение мощности рассеивания резистора - достигается тем, что в резисторе, состоящем из резистивного элемента 1 и контактных площадок 2, нанесенных на диэлектрическую подложку 3, подгонка осуществляется путем образования вдоль кромок резистивного элемента 1 каналов 4 повыше...

  Использование: в электронной технике, в частности для контроля процесса осаждения резистивных пленок при изготовлении плат микросхем, микросборок и пленочных резисторов. Сущность изобретения: в зону осаждения резистивных пленок одновременно с рабочими подложками помещают основной и дополнительный контрольные образцы, производят осаждение резистивного материала на поверхность контрольных...

  Использование: в электронной технике для создания гибких соединений, преимущественно для гибких гермовводов блоков микроэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения: производят формирование рисунка проводников на фольгированной подложке из полиимида и наносят на поверхность подложки полиимидный лак. Термообработку лака проводят при наложении однополярного импульсного поля при амплитудных...

 Использование: в аналитической технике, в частности в полупроводниковых резистивных газовых датчиках. Сущность изобретения: датчик содержит кремниевую подложку с диэлектрической мембраной, на которой между измерительными электродами сформирован газочувствительный слой, и окружающий электроды пленочный кольцевой нагреватель. Внутренний измерительный электрод выполнен в виде кольца, центр к...

  Использование: изобретение относится к электронной технике, а именно к изготовлению гибридных интегральных схем и микросборок с двухуровневой разводкой. Сущность изобретения: на металлическую подложку наносят фоторезист. Затем производят двустороннюю фотолитографию с оьразованием негативного рисунка проводников схемы и электрохимическое осаждение в окна фоторезистивной маски металла, сел...

 Использование: в микроэлектронике, в частности при изготовлении радиодеталей с пленочными резистивными элементами. Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку наносят резистивную пленку, производят низкотемпературную обработку циклически в течение 25 30 мин путем последовательного охлаждения резисторов в жидком азоте и выдержки на воздухе при комнатной температуре, при этом время пр...

 Использование: в области аналитической техники, при изготовлении полупроводниковых датчиков газов для анализа состава окружающей среды. Сущность изобретения: последовательно наносят на диэлектрическую подложку металлический пленочный нагреватель с системой контактов, разделительный пористый диэлектрический слой и газочувствительный слой. При этом перед нанесением газочувствительного слоя...

 Использование: в аналитическом приборостроении. Сущность изобретения: способ изготовления чувствительного элемента газового датчика включает нанесение пленки фталоцианина металла на электроды и последующее облучение пленки рентгеновскими лучами с энергией 150 - 200 кэВ дозой (4,5 - 9) 103 P. 1 табл. Предполагаемое изобретение относится к области аналитического приборостроения, а именно к...

 Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано, в частности, при формировании рисунка элементов на основе органического полупроводника - фталоцианина меди. Раствор для размерного травления пленок фталоцианина меди содержит, об.%: серная кислота - 16-17, азотная кислота - 16-17, соляная кислота - 16-17, уксусная кислота - 43-40, вода - остальное. Примене...

 Использование: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: на подложку наносят первый слой позитивного фоторезиста, проводят его сушку и экспонирование без шаблона, затем наносят второй слой позитивного фоторезиста, проводят его сушку, экспонируют через шаблон и проявляют рисунок в двухслойной пленке, при этом величину экспозиции первого слоя фоторезиста tЭ1 выбираю...

 Использование: в области микроэлектроники для подготовки кремниевых пластин-подложек в производстве дискретных приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: предварительно пластины упруго деформируют изгибом так, чтобы рабочая сторона пластины была вогнутой, затем производят 3-х стадийный отжиг платины в деформированном состоянии в инертной атмосфере вначале при температуре из интер...

 Использование: в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем, в частности для формирования рельефа с заданной геометрией на поверхности структур при изготовлении кристаллографически ограненных канавок, лунок, мезаструктур, мембран и других трехмерных топологических элементов. Сущность изобретения: в способе анизотропного травления кристаллов кремния формируют на рабоче...

 Изобретение относится к области микроэлектроники. Производят нанесение на диэлектрическую подложку резистивной пленки, а затем циклическую низкотемпературную обработку в течение 25 - 30 мин в жидком азоте, чередующуюся с выдержкой на воздухе в течение 30 - 60 с и отжиг, причем на каждом последующем цикле обработки увеличивают длительность выдержки в жидком азоте в соответствии с математич...

 Использование: электронная техника, в процессах формирования пленочных элементов микроэлектронных устройств. Сущность изобретения: при формировании пленочных элементов на основе платины производят нанесение на подложку с бескислородным диэлектрическим покрытием металлооксидного адгезионного слоя и слоя платины, фотолитографическое выполнение конфигурации элементов. Адгезионный слой нанося...

 Использование: в полупроводниковой технике для выявления и анализа структурных дефектов. Сущность изобретения: для выявления структурных дефектов в кристаллах кремния исследуемую поверхность кристалла облучают потоком альфа-частиц от радионуклидного источника дозой (1,2 - 7,2) 1012 см-2, производят химическое травление в избирательно действующем на дефекты растворе и выявленные дефекты п...

 Использование: в области производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для повышения однородности распределения электрофизических характеристик подложек вдоль их рабочей стороны за счет снижения концентраций структурных дефектов и фоновых примесей в приповерхностной области на рабочую сторону пластины монокристаллического кремния наносят моноокись германия в виде пленки т...

 Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния. Технический результата: повышение чувствительности способа при контроле однородности распределения пор в слоях пористого кремния. Сущность изобретения: облучают пористую поверхность светом и регистрируют интенсивность отраженного излучения с различных участков поверхности, измеря...

 Использование: полупроводниковая техника. Сущность изобретения: способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния включает деформирование кристаллов, отжиг в деформированном состоянии, химическое травление после отжига и металлографический контроль. Деформирование осуществляют путем последовательного нанесения на исследуемую поверхность кристалла равнотолщинных пленок сначала мон...

 Использование: технология микроэлектроники для оценки качества слоев диоксида кремния, выращенных на кремниевых подложках. Технический результат способа - повышение чувствительности и экспрессности эллипсометрического контроля пористости пленок диоксида кремния. Сущность изобретения: регистрируют изменения показателя преломления пленки, измеряемого эллипсометрическим методом при нормальны...

 Использование: при изготовлении приборов по МОП- и КМОП-технологии, в сенсорной микроэлектронике при изготовлении датчиков физических величин. Технический результат способа - увеличение процента выхода годных структур кремний - пленка диоксида кремния за счет снижения дефектности пленок. Способ включает нанесение пленки диоксида кремния на кремниевую подложку и циклическую низкотемператур...

 Использование: электронная техника. Сущность изобретения: в способе электрохимической обработки полупроводниковых пластин, включающем закрепление пластины на аноде, размещение анода в электрохимической ячейке параллельно свободной поверхности электролита, осевое вращение цилиндрического электрода-катода дополнительно ось вращения перемещают в плоскости, параллельной поверхности обрабатыва...

 Использование: в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем. Технический результат: повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточных дефектов в кремниевых подложках. Сущность изобретения: способ включает осаждение на нерабочую сторону подложек кремния слоя поликристаллического кремния и термообработку, перед термообработкой пове...