Буляк Б.Н.

 Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородно...

 Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водор...

 Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных...

 Назначение: микроэлектроника. Сущность изобретения: при вскрытии окон к контактным площадкам и областям для разделения пластин размеры окон выбирают такими, чтобы верхний пассивирующий слой нитрида кремния перекрывал нижний пассивирующий слой фосфоросиликатного стекла на 0,2 - 5 мкм. 1 з.п. ф-лы. 1 ил., 2 табл. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изго...