Способ создания тонких слоев оксида кремния

Способ создания тонких слоев оксида кремния

Реферат

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в атмосфере кислорода в течение 3-30 мин, а затем в атмосфере кислорода, содержащего 1·10 ^-4 - 3 об.% хлористого водорода в течение 3-15 мин, а доокисление подслоя осуществляют в газовой смеси, содержащей 1·10 ^-4 - 3 об.% хлористого водорода.