H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

Способ защиты кристаллов кремния

Класс 12h, 1 121, 38 № 137893 СССР f,»1 иг Т Хп11™ ° 1) / .i1 БИБ 1ИОТЫд ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписные группы ММ 43 и 4а В. Г. Мельник, Л, А. Дубровский и Л. Л. Одинец СПОСОБ ЗАЩИТЫ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Заявлено 17 иктня 1960 г ва,Л" 670386 23 в Комитет по делам изобретений и открытий ири Совете Министров СССР Опубликовано в «Б|оллетене изобретени...

137893

Способ создания защитной пленки

3I6 372 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № М. Кл. H Oll 3/12 Заявлено 17.VII.1968 (№ 1247842/26-2) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 14Х1.1972. Бюллетень № 19 Дата опубликования описания 7Л II.1972 Номитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР УДК 621....

316372

Способ окисления кремния с p-n-переходом

Способ окисления кремния с р-n-переходами в электролите при подаче на пластину кремния анодного напряжения, отличающийся тем, что, с целью селективного окисления n-области, пластину кремния предварительно обрабатывают в химическом травителе и при окислении анодное напряжение подают на n-область.

376029

Способ окисления кремния

Союз Советских Социалисти нескин Республик «i>427426 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 26.07.72 (21) 1813765/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (32) ПриоритетвЂ” Опубликовано 05.05.74. Бюллетень № 17 Дата опублико вания описания 17.01.75 (51) И. К.. H 0117, 00 Гасударственный комитет Совета Министров ССС...

427426

Электролит для анодного окисления индийсодержащих полупроводниковых соединений

Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.02.76 (21) 2321602/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (11) 553699 (51) М. Кл. И 01 (21/306 Государственный комитет Саевта Министров СССР по делам изобретений и отирытий (43) Опубликовано 05,04.77. Бюллетень №13 (53) УДК 621.3...

553699

Способ электролитического анодирования

в Еиеаюотоиа М А Союз Советских Социалистических Республик E О П ИЗОБРЕТЕНИЯ 658626 (61)цополннтельное к авт. свид-вувЂ” г (5!) М. Кл. Н 01 L 2 1/306 (22) Заявлено 02.07.76(21) 2392871/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) ПриоритетйеуааретеехкиМ ваатет СССР an лелем юаеретеней и аткрютей Опубликовано25.04.79.Бюллетень A&15 Дата опубликования описания 27-04.79 (53) ДК 6...

658626

Способ изготовления защитных свинцово-силикатных пленок на поверхности кремния

Способ изготовления защитных свинцово-силикатных пленок на поверхности кремния, включающий нанесение на поверхность кремния слоя порошка окиси свинца, оплавление порошка и последующий отжиг пленки при 500oC, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности свойств пленок путем управления их составом, порошок окиси свинца наносят слоем толщиной 0,06 - 0,5 мм, а оплавление проводят при 7...

1056815

Способ изготовления полупроводниковых меза-структур

Способ изготовления полупроводниковых меза-структур, включающий проведение фотолитографии и химического изотропного травления на глубину h, создающих выпрямительные меза-элементы, и защиту меза-элементов стекловидными пленками, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивных напряжений меза-элементов, операцию фотолитографии проводят с использованием фотошаблона, рисунок которого предс...

1085442

Способ окисления пластин кремния

Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при дав...

1099782

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алю...

1127483

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, включающий осаждение пленки по всей площади пластины, формирование на пленке маски из фоторезиста, травление пленки при температуре 15 - 30oC в водном растворе фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и ортофосфорной кислоты и удаление фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения ка...

1144566

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, сл...

1147205

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах мдп-интегральных схем

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородно...

1151153

Способ создания моп-структур

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхно...

1223789

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышени...

1225430

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисл...

1233731

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей III и V групп и щелочных металлов, содержащий тетраэтоксисилан, воду, концентрированную соляную кислоту и пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония, отличающийся тем, что, с целью сохранения стабильности свойств, он дополнительно содержит соль металла из группы лантанидов при следующем соотношении ко...

1246818

Способ создания подзатворного диэлектрика

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся те...

1282767

Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния

Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния, включающий нанесение слоя двуокиси кремния в плазме ВЧ-разряда из смеси моносилан-аргон-кислород, отличающийся тем, что, с целью улучшения зарядовых свойств плазмохимических пленок за счет аморфизации их структуры, после нанесения пленок производят отжиг в атмосфере водорода, азота или инертного газа в диапазоне температур от 600...

1299397

Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов

Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора азотнокислых солей стеклообразующих элементов, введение в раствор двуокиси кремния, приливание водного раствора аммиака до получения осадка гидроокисей, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем...

1316501

Способ изготовления подзатворного диэлектрика моп-приборов

Способ изготовления подзатворного диэлектрика МОП-приборов, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диоксида кремния методом термического окисления, нанесение слоя фосфорно-силикатного стекла, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик приборов путем уменьшения сквозной микропористости слоя диоксида кремния, слой диоксида кремни...

1345967

Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путе...

1356895

Способ создания тонких слоев оксида кремния

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водор...

1371456

Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий

Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водных растворов азотнокислых солей стеклообразующих компонентов кремниевой кислоты, аммиака, сливание растворов, просушивание и растирание образующегося осадка в порошок, нанесение и оплавление слоя порошка на поверхности полупроводниковых приборов, отличающийся тем,...

1384112

Способ получения структуры полупроводниковых приборов

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения диэлектрических покрытий на монолитных интегральных схемах с алюминиевой металлизацией. Цель изобретения увеличение выхода годных полупроводниковых приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия и повышения надежности приборов в работе. Способ включает формирование на поверхности структуры полупр...

1396862

H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

Патенты в этой категории